2023年合肥高新區 “揭榜掛帥” 榜單任務 發布，有想要揭榜的快來申報吧。下面來具體了解合肥高新區 “揭榜掛帥” 榜單任務 申報流程材料說明，有什么疑問，可以咨詢小編了解。

合肥高新區揭榜掛帥申報免費咨詢：19855108130（手機/微信）

一、申報說明

本批榜單圍繞量子、集成電路、節能環保三大產業領域，公開進行揭榜申報，力爭解決制約我區產業發展的關鍵核心問題。

揭榜方為省內外有能力解決榜單任務的高校、科研院所、科技型企業或相關單位組成的聯合體。揭榜方與提出榜單任務單位（發榜方）不存在關聯關系，且無不良信用記錄或重大違法行為。同等條件下，優先支持長三角地區具有良好科研業績的單位和團隊揭榜攻關。鼓勵有基礎、有實力的優勢企業，會同高校院所、產業鏈上下游企業，組建創新聯合體，進行 “大手牽小手”聯合申報。

二、申報流程

1.選擇榜單。請揭榜方于2023年 4月12日前與高新區科技局聯系（聯系方式見后）。

2.對接揭榜。高新區科技局于4月 13日前向揭榜方提供發榜方聯系方式，請揭榜方于2023年 4 月16日前與發榜方對接。發榜方結合自身需求，選擇擬合作的揭榜方，并細化落實合作具體內容，按有關規定簽訂意向合作協議或技術合同。

3.網上申報。發榜方確定好意向合作單位后，聯系高新區科技局按要求填寫項目申報任務書，上傳意向合作協議或技術合同等相關附件材料至郵箱。申報時間： 2023 年4月17 日 -2023 年4月 21 日。

4.評審立項。高新區科技局組織專家對申報的揭榜方解決方案進行評審，從揭榜方研究能力、解決方案的可行性、科學性、先進性、實施機制等方面，提出立項建議。

三、申報材料

申報需填報以下材料（由發榜方牽頭提供）:

1.填報《合肥高新區關鍵核心技術攻關項目申報書》

2.科技成果材料：實行代表作制度（只列出與榜單任務相關的科技成果）。揭榜方近3 年獲得的重要獎項、承擔的主要科研項目、取得的專利和著作權、發表的重要論文及其他重要業績（成果）等情況，每個類別提供材料均不超過5項。

3.揭榜方與發榜方簽訂的意向合作協議或技術合同。

四、申報要求

發榜方、揭榜方填報材料須真實、有效，單位及項目負責人信用存在問題的，取消項目立項資格，依規對相關責任主體進行處理。

附件：關鍵核心技術攻關揭榜掛帥榜單

一、用于超導量子比特芯片的超高真空處理及封裝系統

需求目標：

超高真空處理及封裝系統專用于量子比特芯片的表面處理、真空封裝以及真空傳送。該系統能夠保障所有封裝過程在超高真空下進行，并且對芯片表面進行退火、紫外照射、離子銑和表面鈍化處理以提高芯片相干時間，在封裝芯片的傳送和極低溫冷卻的過程中，封裝系統內部仍可以保持高真空狀態，最大限度保障量子芯片無污染環境。

主要研究工作包括：

1.設計超高真空處理及封裝系統的實現方案，進行建模論證，并進行主要功能模塊設計，包括封裝主腔室和傳送腔室。

2.設計加工超高真空測試系統，對退火、紫外照射、離子銑和表面鈍化處理等芯片表面處理工藝進行驗證。

3.開發控制系統的軟件，使用測試系統重點調試實現各功能的參數設置。

4.對超高真空處理及封裝系統進行組裝、調試，使用量子比特芯片測試功能的可行性。

5.設計實驗，研究不同芯片處理方式及組合使用對量子比特性能的影響，得到提升芯片性能最優的處理方式及參數設置。

6.進行控制系統的軟件開發，使用封裝系統重點調試高精度移動和超高真空互鎖控制系統。

7.超高真空處理及封裝系統導入量子比特芯片生產產線。

成果形式：

1.設備：用于超導量子計算芯片的超高真空處理及封裝、傳輸系統。用于超導量子計算芯片的超高真空表面處理系統。

2.軟件：用于控制真空封裝和表面處理系統的全自動軟件。

3.產品：提高量子比特芯片相干時間的高質量封裝系統。

4.報告：《超高真空處理及封裝系統的實現方案報告》《超高真空處理及封裝系統對量子芯片的封裝報告》等報告。

5.知識產權：申請 發明專利不少于 6 項；授權發明 專利至少 2 項。

技術指標：

1.封裝系統極限真空滿足：P≤5E-8 Pa ；

2.高真空封裝盒漏率Q≤5E-8 Pa?m3/s ；

3.樣品基臺溫度范圍：RT-800℃ ，精度±1℃；

4.Φ100 mm基板離子束清洗均勻性：＜ 3%；

5.鈍化腔體氣壓控制精度：＜ 10% ；

6.電子束蒸發鍍鈦范圍：Φ≥100 mm ；

7.紫外光源波長范圍：115-400 nm ；

8.紫外光源功率范圍：≥30 W ；

9.人機界面：全自動化人機操作界面；

10.預留接口，可以擴展高真空多腔系統；

11.安全：工業標準安全互鎖 industry Safety Interlock ，報警Alarm， EMO 。

實測要求：

時間：2026年 1 月

方法：檢測腔體真空度，使用量子芯片及進行表面處理模塊功能驗證，精準封裝測試，真空盒保壓測試，極低溫測試高真空封裝的量子比特性能。

指標：

1.封裝主腔極限真空滿足： P≤5E-8 Pa ；

2.進樣腔極限真空滿足： P≤5E-6 Pa ；

3.高真空封裝盒漏率： Q≤5E-8 Pa?m3/s ；

4.樣品基臺溫度范圍： RT-800℃ ，精度±1℃；

5.Φ100 mm基板離子束清洗均勻性：＜ 3% ；

6.鈍化腔體氣壓控制精度：＜ 10% ；

7.電子束蒸發鍍鈦范圍： Φ≥100 mm 。

二、超導量子計算低溫信號調理關鍵器件

需求目標：

在2～ 3 年內，解決超導量子計算系統低溫信號調理環節中被“卡脖子 ” 元件的國產化，包括低溫低噪聲放大器、低溫環形器和低溫耦合器，實現從無到有的飛躍。

1.低溫低噪聲放大器

研究內容：1 ）有源HEMT 器件低溫參數模型研究。主要研究器件低溫下S 參數和等效噪聲參數。2 ）低溫放大器電路金絲寬帶匹配技術研究。研究適用于極低溫度下的金絲寬帶匹配電路。 3）極低噪聲溫度指標測試方法研究。4 ）微波芯片低溫放大器組裝工藝研究。

關鍵技術：1 ）有源HEMT 器件低溫參數提取技術；2 ）放大器寬帶匹配技術；3 ）極低噪聲溫度高精度測試技術； 4）微波芯片低溫微組裝技術。

2.低溫環形器

研究內容：1 ）鐵氧體材料低溫特性參數提取研究。主要研究鐵氧體材料低溫下磁飽和強度參數變化。 2）低溫寬帶匹配技術。研究低溫條件下電路寬帶匹配。 3）低溫下鐵氧體材料特性配比測試技術。研究低溫下鐵氧體材料配比變化。

關鍵技術：鐵氧體材料低溫磁性參數測量技術。

3.低溫耦合器

研究內容：在微波集成電路的設計制作中，兩個最重要電參數是介電常數和損耗角正切。因為微帶基片介質特性參數具有一定離散性且在特定低溫下數據手冊中的參考值不適用，所以必須準確測量微帶基片的低溫介質特性，才能實現高品質的低溫耦合器設計制作。研究采用諧振法測量微帶基片介電常數和損耗角正切。

關鍵技術：介質基板低溫參數測量技術。

成果形式：

1.交付兩套可用于千比特量級超導量子計算體系所需的資源，即每套約 20~30 通路的讀取線路，在中大規模的超導量子計算機上進行多機、多通路的對比實測，驗證性能及可靠性測試。

2.交付元件的全套技術設計詳細文檔。

3. 項目結束后，3年內可穩定持續供應上述成果的實體元件。

技術指標：

1. 低溫環行器，工作溫度10mK ～ 4K，工作頻率至少覆蓋4 ～ 8GHz ，隔離度： ≥56dB，回波損耗： ≤-17dB ，插入損耗： ≤0.7dB。

2. 低溫低噪聲放大器，工作溫度4K ，工作頻率至少覆蓋 4～8GHz ，增益： ≥38dB，等效噪聲溫度： ≤3K，回波損耗： ≤-10dB ，功耗≤12mW， 1dB 壓縮點≥-12dBm 。

3. 低溫耦合器：工作溫度10mK ～ 4K，工作頻率至少覆蓋4 ～ 8GHz ，耦合度： 20±1dB，回波損耗： ≤-20dB ，插入損耗： ≤0.2 dB。

實測要求：

性能指標需揭榜方在任務完成提交時，給出各元件的性能的第三方測試報告。測試方案可以自舉，但要求的所有指標需要體現。

三、應用于高精度 MEMS流量傳感器的信號處理電路

需求目標：

擬基于 110nm工藝制程，開發 CMOS 數模混合的流量傳感器信號處理電路芯片，數字部分基于ARM Cortex-M0 內核開發芯片控制和輸入輸出接口，模擬部分主要包括可編程增益放大器 (PGA) 和Sigma-delta模數轉換器 (ADC) 。

1. 流量傳感器控制電路芯片

控制電路芯片主要實現對 MEMS流量傳感器的驅動控制、工作狀態配置、信號采集控制、信號處理控制和輸入輸出接口等功能。

2. 可編程增益放大器(PGA)

PGA 用于將傳感器的輸出信號進行放大，然后輸入給模數轉換器，以適配模數轉換的輸入量程，增益設計為8 、16、 32、 64 、128等檔位。

3. 模數轉換器(ADC)

ADC 采用離散型增量式sigma-delta ADC ，采用過采樣和噪聲整形技術相結合以實現高精度模數轉換，其由調制器和數字濾波器組成，分辨率達到16bit 以上、轉換速度達到1kSPS 以上。

主要研究工作包括：

數字部分完成內核主控設計、存儲器設計、模擬功能控制設計、數字接口設計等。模擬部分主要完成可編程增益放大器和模數轉換器設計。具體詳見技術指標。

成果形式：

1. 編制“ 應用于高精度 MEMS 流量傳感器的信號處理電路” 的技術文檔。

2. 芯片完成工程化驗證，實現量產，在工業控制、醫療器械和半導體設備等領域應用。

技術指標：

1. 申請發明專利2 項以上。

2. PGA 的技術指標如下：

3. ADC 的技術指標如下：

實測要求：

完成芯片量產，主要技術參數指標如下表：

四、雙碳溫室氣體激光雷達并行探測技術

需求目標 ： 研制溫室氣體并行探測激光雷達，同時實現 CO2和 CH4濃度垂直分布高精度探測。

主要研究工作包括：

（ 1）多波長窄線寬中紅外激光器研制

突破中紅外啁啾脈沖光參量放大技術，利用啁啾脈沖光參量放大技術獲得高峰值功率、大脈沖能量的中紅外超短脈沖激光是目前國際上中紅外激光技術領域的研究熱點。需要掌握高能量啁啾脈沖光參量放大過程中所需要的高脈沖能量參量泵浦源、高品質中紅外非線性晶體、啁啾脈沖放大等關鍵技術，以突破西方國家在該領域對我們國家的技術封鎖和禁運。利用光參量放大器的被動相位穩定特性實現相位穩定的中紅外頻率梳，獲得功率、頻率穩定輸出的中紅外頻率梳，波長范圍 3- 5 μ m ，梳齒間距 100MHz。

（ 2）大口徑接收望遠鏡和后繼分光研制

需要采用大口徑接收望遠鏡，直徑為 0.5米以上，接收視場角為 0.2- 1 mrad ，成像質量要好，光斑質量 RMS直徑達到 200um 。除了大口徑、小視場技術難度之外，還需要望遠鏡系統要有很好的雜散光抑制效果，設備本身的熱輻射也不會對探測結果造成干擾。由于該系統要實現多種溫室氣體及相關同位素氣體探測需求，要求在后繼分光單元的光譜儀要求足夠光譜寬度。

（ 3）中紅外探測器研制

中紅外波段探測器的量子效率普遍較低，同時為了降低本底噪音，需要工作在零下 20度左右，為了實現多種溫室氣體紅外譜段信號的測量，探測器增益要達到 10-20倍，帶寬 200-1000MHz ，暗電流 50-150nA 。探測器要通過 TEC 等制冷技術，通過二級溫控，維持其較低的工作溫度，達到低噪聲、高增益的探測效果。

成果形式：

1. 研制溫室氣體并行探測激光雷達 1 臺，具備同時探測 CO2 和 CH4 濃度廓線探測功能；

2. 申請發明專利 1 項，實用新型專利 1 項，軟件著作權 1 項；

3. 在省內氣象和環保業務部門開展示范應用，提供用戶報告。

技術指標：

1 、研制一臺雙碳溫室氣體并行探測激光雷達，具備同時探測 CO2 和 CH4 濃度廓線探測功能；

2 、在能見度≥ 10km 條件下，探測高度≥ 3km ；

3 、垂直分辨率： 30m-150m 可選；時間分辨率： 10min-30min 可選；

4 、望遠鏡直徑：≥ 0.5m ；接收視場角： 0.2-1mrad 之間；

5 、激光器波長： 0.3-5 μ m 之間；脈寬：≤ 15ns ；發散角：≤ 0.5mrad ；

6 、采集卡采樣頻率≥ 20MHz ，轉換精度≥ 16bit ；

7 、二氧化碳探測精度≤ 2ppm ，甲烷探測精度≤ 0.05ppm 。

實測要求：符合技術指標要求即可。

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